Наименование прибора: STF26NM60N

Маркировка: 26NM60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 60 nC

Время нарастания (tr): 25 ns

Выходная емкость (Cd): 115 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.165 Ohm

Тип корпуса: TO220FP